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沉积

沉积是指在晶圆表面形成一层超薄材料的过程。半导体行业采用多种沉积工艺来沉积各种材料（例如金属或非导电介电层），以便形成所需的电子微结构或其他涂层，从而改变晶圆上各器件的表面特性（例如折射率、抗腐蚀性、机械应力、疏水性等等）。

KLA 提供物理气相沉积 (PVD)、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 和分子气相沉积 (MVD)。

产品类别

SPTS Osprey® PECVD

面向先进封装的等离子体增强化学气相沉积

对于先进封装应用，SPTS Osprey® PECVD 系统提供与 300 毫米键合基底和模具兼容的低温沉积工艺。Osprey PECVD 可在低至 125°C 的沉积温度下形成经过生产验证的优质电介质薄膜。SiN – SiO 叠层可以沉积到同一 PECVD 腔室中，随着时间推移，具有高度可靠的电气性能和稳定性。薄膜和叠层应力可在广泛的范围内调整，与 PECVD 系统竞品相比，经过优化的腔室硬件最大限度地减小了晶片内的应力范围。可根据需求提供单晶片和多晶片脱气选项，用于加热脱气基底并提高沉积薄膜质量。经过优化的 SiO、TEOS SiO、SiCN 和其他先进电介质薄膜可用于混合键合以及芯片间隙填充应用。

SPTS Sigma® PVD

物理气相沉积系统

物理气相沉积 (PVD) 是一种薄膜工艺，它可在晶圆表面生成导电、半导体或绝缘材料涂层。PVD 有多种不同形式：溅射、蒸发、离子束沉积。KLA 提供基于溅射技术的各种产品。在溅射工艺中，“靶”负责提供源材料，而来自等离子体的离子会在工艺腔体中轰击该源材料。源材料的原子会被喷射或溅射到等离子体中，此时可能发生也可能不发生反应（具体取决于工艺气体混合物），然后这些原子会凝结到晶圆表面。SPTS Sigma® PVD 系统支持 100mm 至 300mm 的晶圆尺寸，而 fxP 集群平台则会根据具体工艺要求集成不同形式的预处理和沉积技术。

SPTS Delta™ PECVD

等离子体增强化学气相沉积系统

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种在低于 400°C 的温度下利用等离子体内的能量加速晶片表面化学反应以形成薄膜的工艺。可利用沉积期间的高能离子轰击调整薄膜的电气和机械特性。SPTS Delta™ PECVD 系统广泛应用于射频器件、功率器件、光子器件和微机电系统市场，尤其是需要低加工温度的应用。Delta™ fxP 集群系统为各种电介质薄膜提供全面的工艺库，沉积温度从 80°C 到 400°C 不等。该系统还为敏感基底脱气提供单晶片和多晶片预热室选项，并为晶片背面沉积提供边缘触点处理功能。

MVD300/300E

适用于批量生产的分子气相沉积 (MVD®) 系统

MVD300® 分子气相沉积系统（以及配备了用于实现全自动化的 EFEM 的 MVD300E 系统）专为满足最严苛的批量生产应用而设计，从而实现高性能、高灵活性和高可靠性。较之传统液相沉积技术，MVD 工艺能以更高的良率和更低的成本来生产超薄有机与无机薄膜。MVD 可用于众多不断增长的应用场景，其中包括在 MEMS 设备上沉积抗粘连和防腐薄膜。

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