缺陷检测和复检

Surfscan^®

无图案晶圆缺陷检测系统

Surfscan^®SP7^XP无图案检测系统，识别影响先进储存与逻辑器件性能与可靠性的缺陷和表面品质问题。透过针对工具、制程与材料进行验证与建空，其支援包括用于EUV光子工具的集成电路、原始设备制造商、材料与基板制造。利用DUV雷射与出色的检测模式，Surfscan SP7^XP提供了先进节点研发所需的最佳灵敏度，并具备支援高产量制造的产出率。辅助的检测模式包括相位对比通道 (PCC)与正常照明 (NI)，可检测裸晶圆、光华与粗糙膜层，以及易碎的光刻胶和光刻堆叠得独特缺陷类型。基于图像的缺陷分类 (IBC) 利用了革命性的机器学习算法，加速根本故障原因定位，而Z7^™分类引勤则支援独特的3D NAND与厚膜应用。

Candela^® 8520

适用于化合物半导体材料的表面检测和光致发光系统

Candela^® 8520 第二代集成光致发光 (PL) 和表面缺陷检测系统专为碳化硅和氮化镓基片上的基片和外延缺陷而设计。它可以捕捉到形貌变化、表面反射率、相位变化和光致发光，从而对各种关键缺陷进行自动检测与分类。该系统采用专有光学技术，可同时测量两个入射角的散射强度。 Candela 8520 为氮化镓晶圆提供表面和光致发光瑕疵检测，对氮化镓位错、凹陷、孔洞进行检测和分类，用于氮化镓反应器的瑕疵控制。 功率应用包括碳化硅基透明晶圆检测和晶体瑕疵的分类，例如 BPD（基底平面位错）、微管、堆叠瑕疵、棒状堆叠瑕疵、微粒边界和线程位错。 形貌异常检测包括三角形检测、胡萝卜瑕疵、滴落物和划痕。

Candela^® 8720

适用于化合物半导体材料的表面检测和光致发光系统

Candela^® 8720 先进的集成表面瑕疵检测和光致发光 (PL) 瑕疵检测系统可检测各种关键任务基片和外延缺陷。 该系统采用专有光学技术，可同时测量两个入射角的散射强度。 它可以捕捉到形貌变化、表面反射率、相位变化和光致发光，从而对各种关键缺陷进行自动检测与分类。这种先进的表面缺陷检测系统应用于射频 (RF)、功率和高亮度发光二极管 (HBLED) 的氮化镓检测，能够检测裂缝、晶体位错、山丘、微凹陷、滑动线、凸点和六角形凸点，以及外延硅瑕疵。 Candela 8720 检测系统还可用于其他高端化合物半导体工艺材料的瑕疵检测，例如用于发光二极管 (LED)、VCSEL 和光子学应用的砷化镓 (GaAs) 和磷化铟 (InP)。

Candela^® 8420

化合物半导体材料的表面瑕疵检测

Candela^® 8420 表面瑕疵检测系统采用多通道检测和基于规则的瑕疵分类，可对不透明、半透明和透明晶圆（例如砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP)、钽酸锂、铌酸锂、玻璃、蓝宝石和其他化合物半导体材料）进行微粒和划痕检测。 这款表面瑕疵检测系统采用专有的OSA（光学表面分析仪）架构，可同时测量散射强度、形貌变化、表面反射率和相位变化，可对各种重要缺陷 (DOI) 进行自动检测和分类。 使用 Candela 8420 表面瑕疵检测系统，可在几分钟内实现全晶圆检测，可生成高分辨率成像和自动化检测报告，提供瑕疵分类和晶圆图。 与单通道技术相比，该机台的灵敏度更高。

Candela CS20R 配置采用了针对化合物半导体材料（包括光敏底片）的优化光学技术。

eDRX^™ Series

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDRX1^™电子束晶圆缺陷复检与分类系统为硅基晶圆和芯片的制造提供支持，包括广泛的器件设计节点和类型（中央处理器(CPUs)、图形处理器(GPUs)、动态随机存取存储器(DRAM)、三维闪存(3D-NAND)等）。它能捕捉到缺陷的高分辨率图像，从而精准呈现晶圆上缺陷群体的分布情况。凭借宽范围的电子光学条件和专用的镜内探测器(ILD)，eDRX1支持对多种工艺制程进行缺陷可视化，包括脆弱的EUV光刻层、高深宽比(HAR)沟槽层和电压衬度(VC)层。独特的Simul-6^™技术可在单次作业中生成目标缺陷(DOI)完整的”帕累托(pareto)”数据排列图，用于准确的缺陷来源分析和更快的参数偏移检测。eDRX1通过与KLA检测机台的可连接性形成独特的协作功能，例如与39xx/29xx宽波段光学图形晶圆检测机台来协作的DualSENS^™功能和与Surfscan^®裸晶圆检测机台来协作的OptiSens^™功能，从而在芯片和晶圆制造过程中实现更快的良率学习。

eDR^®是KLA 公司的注册商标。

eDR7380^™

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDR7380^™电子束晶圆缺陷复检与分类系统为宽禁带半导体的晶圆和芯片制造提供支持。它可提供高分辨率的缺陷图像，并使用基于机器学习的自动缺陷分类功能生成准确的缺陷”帕累托(pareto)”数据排列图。eDR7380生成的数据有助于更快地溯源开发过程中的缺陷，更快地进行参数偏移检测，并在生产过程中提供更准确、可操作性更强的数据。eDR7380生成的缺陷信息有助于加快各种衬底类型（碳化硅、氮化镓、玻璃、蓝宝石、压电绝缘层(POI)等）和设备类型（电源、发光二极管、光子器件、射频、微机电系统等）的面市时间。eDR7380基于灵活的，可配置的平台构建，可针对各种尺寸（150、200、300毫米）和不同厚度（180至1500微米）的晶圆上广泛的缺陷尺寸和类型进行复检与分类。

eDR^®是KLA 公司的注册商标。